Η Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. officiellement présenté à Symposium technologique TSMC 2022, sa technologie de fabrication N2 (catégorie 2 nm)
O son premier noeud TSMC dans la catégorie des 2 nm utilisera des transistors à effet de champ (GAAFET - transistors à effet de champ tout autour de la grille) et le nouveau procédé de fabrication offrira des avantages en termes de performances et de puissance, mais en termes de densité de transistors, il n'impressionnera guère en 2025 lors de sa sortie.
En tant que toute nouvelle plate-forme technologique de processus, la N2 de TSMC apporte deux innovations clés : les transistors nanofoil (c'est ce que T appelleSMC comme GAAFET) et rail d'alimentation arrière servant le même objectif d'augmenter les caractéristiques de performance par watt du nœud.
Les transistors nanofoil GAA ont des canaux entourés de portes sur les quatre côtés, ce qui réduit les fuites. De plus, leurs canaux peuvent être élargis pour augmenter le flux de trafic et améliorer l'efficacité ou rétrécir pour minimiser la consommation d'énergie et les coûts.
Pour alimenter ces transistors nanofoil avec suffisamment de puissance et maintenant en gaspiller un, le N2 de TSMC utilise l'alimentation à l'arrière, considérée comme l'une des meilleures solutions pour lutter contre les résistances de fin de ligne (beol).
En effet, en termes d'efficacité énergétique et de consommation, le nœud N2 basé sur le nano TSMC peut atteindre 10% à 15% de rendement en plus avec la même puissance et la même complexité, et 25% à 30% de consommation d'énergie en moins à la même fréquence et au même nombre de transistors par rapport à TSMC N3E. Cependant, le nouveau nœud n'augmente la densité des puces que d'environ 1,1 fois par rapport au N3E.
En général, le N3 de TSMC offre des augmentations complètes de l'efficacité des nœuds et des réductions de la consommation d'énergie. Mais en termes de densité, les nouvelles technologies peuvent difficilement impressionner. Par exemple, le nœud N3E des offres TSMC 1,3X augmentation de la densité de copeaux par rapport à N5, ce qui représente une augmentation significative.
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